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碳基復(fù)合材料的應(yīng)用正逐步從光伏向半導(dǎo)體，甚至是第三代半導(dǎo)體邁進(jìn)。

日前，金博股份宣布，與天科合達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，合作期五年。一方面，雙方將共同研發(fā)用于第三代半導(dǎo)體的熱場(chǎng)材料、保溫材料與粉體材料；另一方面，金博將以優(yōu)于市場(chǎng)的價(jià)格、優(yōu)先保供天科合達(dá)；天科合達(dá)在同等性價(jià)比條件下，優(yōu)先采購(gòu)金博的熱場(chǎng)、保溫與粉體材料。

此前，金博股份在半導(dǎo)體領(lǐng)域已通過(guò)神工股份、山東有研半導(dǎo)體（有研硅）、海納半導(dǎo)體等公司認(rèn)證。而公開(kāi)資料顯示，天科合達(dá)主營(yíng)業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片的研究、開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)。

本次合作也意味著第三代半導(dǎo)體廠商對(duì)碳基復(fù)合材料的青睞。

實(shí)際上，除了已被大眾熟知的光伏熱場(chǎng)，碳基復(fù)合材料還可應(yīng)用于半導(dǎo)體熱場(chǎng)。

出于降本需求，半導(dǎo)體硅片主流尺寸如今已增至12英寸，目前全球約七成的半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能可生產(chǎn)12英寸硅片。不過(guò)，大尺寸硅片需要更大投料量的單晶爐，而隨著單爐投料量從120kg增至650kg以上，傳統(tǒng)石墨熱場(chǎng)承重能力難以支撐，業(yè)內(nèi)主流觀點(diǎn)認(rèn)為，后續(xù)行業(yè)將切換到抗折強(qiáng)度高的碳基復(fù)合材料熱場(chǎng)。

除去已獲金博股份供應(yīng)的前述幾家公司之外，也有多家海外半導(dǎo)體巨頭已與東洋碳素、西格里等碳素企業(yè)形成長(zhǎng)期合作關(guān)系。

而如今，以碳化硅為首的第三代半導(dǎo)體興起，更為碳基復(fù)合材料熱場(chǎng)填上一層增量空間。前文提及的東洋碳素、西格里均選擇逐步退出光伏市場(chǎng)，將重心放在半導(dǎo)體——尤其是碳化硅上。

隨著新能源汽車(chē)、光伏等下游領(lǐng)域發(fā)展?jié)u入佳境，碳化硅器件需求隨之見(jiàn)漲，而襯底正是SiC器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，占全產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值鏈47%，對(duì)產(chǎn)業(yè)放量具有決定性作用。

其中，高純碳化硅粉體是制備碳化硅襯底的關(guān)鍵原材料，其純度、顆粒度、晶型等性能，對(duì)襯底生長(zhǎng)質(zhì)量、電學(xué)性能，甚至碳化硅器件質(zhì)量都有著重要影響。

另外，目前行業(yè)內(nèi)普遍采用物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)碳化硅單晶襯底，熱場(chǎng)主要采用細(xì)結(jié)構(gòu)石墨，隨著技術(shù)進(jìn)步和單晶碳化硅尺寸增加，碳碳復(fù)合材料有望替代細(xì)結(jié)構(gòu)石墨用作PVT熱場(chǎng)部件。

總體來(lái)說(shuō)，進(jìn)口熱場(chǎng)及保溫材料在襯底成本中占比40%。據(jù)東吳證券測(cè)算，實(shí)現(xiàn)本土化后，保守估計(jì)熱場(chǎng)占碳化硅整體投資價(jià)值的15%。2025年碳化硅熱場(chǎng)及保溫材料市場(chǎng)空間可達(dá)53億元，分析師認(rèn)為，市場(chǎng)空間廣闊，且技術(shù)壁壘高，優(yōu)先本土化的供應(yīng)商有望獲得高市占率。