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隨著PERC技術(shù)的成熟與不斷挖潛，逐步逼近其轉(zhuǎn)換效率的理論極限，業(yè)界開(kāi)始尋求下一代技術(shù)，目前推進(jìn)中的主流技術(shù)有TOPCon（Tunnel oxide passivated contact,隧穿氧化層鈍化接觸）、HJT（Heterojunction with Intrinsic Thinfilm，異質(zhì)結(jié)）和IBC（Interdigitated back contact，交叉背接觸）等。

一、多種技術(shù)爭(zhēng)奇斗艷，IBC有望成為新的平臺(tái)型技術(shù)

硅基光伏電池歷經(jīng)三代變化，新的技術(shù)不斷涌現(xiàn)推動(dòng)光伏發(fā)電的性價(jià)比不斷上升。光伏電池早期以BSF為主要技術(shù)路線，該電池技術(shù)于1973年提出，其特點(diǎn)是采用鋁背場(chǎng)鈍化技術(shù)，理論轉(zhuǎn)換效率上限約為20%；隨著光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)于發(fā)電效率的不懈追求以及PERC技術(shù)的成熟，成本不斷下降，光伏電池轉(zhuǎn)向以PERC技術(shù)為主，該技術(shù)于1982年提出，其特點(diǎn)是采用氧化鋁局部鈍化技術(shù)，相較于BSF電池技術(shù)，PERC技術(shù)鈍化效果更優(yōu)，將電池的極限效率提升至23%左右。

TOPCon和HJT一般為采用了鈍化接觸技術(shù)的N型電池（也有技術(shù)采用P型硅片），不同點(diǎn)在于HJT是異質(zhì)結(jié)類型的電池，是具有顛覆性的技術(shù)，對(duì)新進(jìn)入廠商相對(duì)有利，TOPCon仍然是同質(zhì)結(jié)電池，對(duì)存量的產(chǎn)線和技術(shù)積累較為友好，對(duì)行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有玩家較為有利。

IBC的提效降本則是另外一種思路，與TOPCon、HJT采用新的鈍化接觸結(jié)構(gòu)來(lái)提高鈍化效果從而提高轉(zhuǎn)換效率的思路不同，IBC則是將電池正面的電極柵線全部轉(zhuǎn)移到電池背面，通過(guò)減少柵線對(duì)陽(yáng)光的遮擋來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率，主要通過(guò)結(jié)構(gòu)的改變來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率，是一種較為純粹的單面電池，這種結(jié)構(gòu)可以與PERC、TOPCon、HJT、鈣鈦礦等多種技術(shù)疊加，因此有望成為新一代的平臺(tái)型技術(shù)，與TOPCon技術(shù)的疊加被稱為“TBC”電池，而與HJT技術(shù)的疊加則被稱為“HBC”電池。

IBC電池技術(shù)是指一種背結(jié)背接觸的太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其正負(fù)金屬電極呈叉指狀方式排列在電池背光面。由于對(duì)少子壽命的要求較高，IBC電池一般以N型硅片作為基底，前表面為N+前場(chǎng)區(qū)FSF，利用場(chǎng)鈍化效應(yīng)降低表面少子濃度，從而降低表面復(fù)合速率，同時(shí)還可以降低串聯(lián)電阻，提升電子傳輸能力；背表面為采用擴(kuò)散方式形成的叉指狀排列的P+發(fā)射極和N++背場(chǎng)BSF，發(fā)射極能夠與N型硅基底形成p-n結(jié)，有效分流載流子，n+背表面場(chǎng)區(qū)能夠與n型硅形成高低結(jié)，增強(qiáng)載流子的分離能力，是IBC電池的核心技術(shù)；前后表面均采用SiO2/SiNx疊層膜作為鈍化膜，抑制IBC太陽(yáng)電池背表面的載流子復(fù)合；前表面常上減射層，提高發(fā)電效率；金屬接觸部分全都在背面的正負(fù)電極接觸區(qū)域，也呈叉指狀排列。

BC技術(shù)由SunPower提出，SunPower已成立36年，累計(jì)出貨35億片IBC電池片，擁有1000多個(gè)晶硅電池專利。1975年，Schwartz和Lammert首提背接觸式光伏電池概念；1984年，斯坦福教授Swanson研發(fā)了IBC類似的點(diǎn)接觸（Point Contact Cell，PCC）太陽(yáng)電池，在聚光系統(tǒng)下轉(zhuǎn)換效率19.7％；1985年Swanson教授創(chuàng)立SunPower，研發(fā)IBC電池；1993年，SunPower全背接觸電池幫助本田贏得澳洲太陽(yáng)能汽車挑戰(zhàn)賽冠軍；2004年，SunPower菲律賓工廠（25MW產(chǎn)能）規(guī)模量產(chǎn)第一代IBC電池，轉(zhuǎn)換效率最高21.5%，組件價(jià)格5-6美金/瓦。

雖然距離SunPower推出第一代IBC電池已經(jīng)相當(dāng)時(shí)間，但是初代電池奠定了該種電池技術(shù)路線基本的電池結(jié)構(gòu)和工藝框架：

（1）前表面無(wú)柵線遮擋。電池前表面采用陷光絨面，且無(wú)柵線遮擋，避免了金屬電極遮光損失，最大化吸收入射光子，實(shí)現(xiàn)良好的短路電流；

（2）背面為P區(qū)和N區(qū)的叉指狀間隔排列。電池背面制備呈叉指狀間隔排列的p+區(qū)和n+區(qū)，以及在其上面分別形成金屬化接觸和柵線，由于消除了前表面發(fā)射極，前表面復(fù)合損失減少；

（3）一般采用較高質(zhì)量的N型硅片。由于前表面遠(yuǎn)離背面p-n結(jié)，為了抑制前表面復(fù)合，需要更好的前表面鈍化方案，同時(shí)需要具有長(zhǎng)擴(kuò)散長(zhǎng)度的高質(zhì)量硅片（如N型硅片），以降低少數(shù)載流子在到達(dá)背結(jié)之前的復(fù)合；

（4）與鈍化接觸技術(shù)相結(jié)合來(lái)提高電池性能。采用鈍化接觸或減少接觸面積，大幅減少背面p+區(qū)和n+區(qū)與金屬電極的接觸復(fù)合損失；

（5）增加前表面場(chǎng)FSF。利用前表面場(chǎng)FSF的場(chǎng)鈍化效應(yīng)降低表面少子濃度，降低表面復(fù)合速率的同時(shí)還可以降低串聯(lián)電阻，提升電子傳輸能力。

從SunPower官網(wǎng)披露的最新信息來(lái)看，其最新一代IBC電池已吸收了TOPCon電池鈍化接觸的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，加入了隧穿氧化層（Tunnel Oxide）與多晶硅（N/P-Poly Silicon）的復(fù)合結(jié)構(gòu)，并保留了銅電極工藝；從電池結(jié)構(gòu)來(lái)看，量產(chǎn)工藝已經(jīng)簡(jiǎn)化，成本在可接受范圍，平均的轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到25%，第七代電池有望將平均轉(zhuǎn)換效率提高到26%的水平。

IBC獨(dú)有的結(jié)構(gòu)也使其具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：

（1）外形美觀。IBC電池發(fā)射區(qū)和基區(qū)的電極均處于背面，正面完全無(wú)柵線遮擋，尤其適用于光伏建筑一體化（BIPV）的應(yīng)用場(chǎng)景以及對(duì)價(jià)格敏感度較低的家用場(chǎng)景，商業(yè)化前景較好。

（2）具有高轉(zhuǎn)換效率的單面結(jié)構(gòu)。IBC電池正面無(wú)遮擋結(jié)構(gòu)消除了柵線遮擋造成的損失，實(shí)現(xiàn)了入射光子的最大化利用，較常規(guī)太陽(yáng)能電池短路電流可提高7%左右，正負(fù)電極都在電池背面，不必考慮柵線遮擋問(wèn)題，可適當(dāng)加寬柵線比例，從而降低串聯(lián)電阻，提高FF；由于正面無(wú)需考慮柵線遮光、金屬接觸等因素，可對(duì)表面鈍化及表面陷光結(jié)構(gòu)進(jìn)行最優(yōu)化設(shè)計(jì)，得到較低的前表面復(fù)合速率和表面射，從而提高Voc和Jsc；短路電流、FF、Voc的提高使得正面無(wú)遮擋的IBC電池?fù)碛辛烁咿D(zhuǎn)換效率；但是柵線都在背面的獨(dú)特結(jié)構(gòu)犧牲了電池的雙面性，無(wú)法吸收經(jīng)過(guò)地面射的陽(yáng)光，因此適用于光伏建筑一體化等無(wú)法利用背面發(fā)射光的應(yīng)用場(chǎng)景。

由于IBC電池結(jié)構(gòu)具有良好的兼容性，逐漸形成了三大工藝路線：

（1）以SunPower為代表的經(jīng)典IBC電池工藝；

（2）以ISFH為代表的POLO-IBC（TBC）電池工藝；

（3）以Kaneka為代表的HBC電池工藝（IBC-SHJ）。根據(jù)2017年Kaneka實(shí)驗(yàn)結(jié)果，目前IBC-SHJ（HJT）電池的轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)到26.7%，高于TOPCon和HJT電池的實(shí)驗(yàn)效率。

將鈍化接觸技術(shù)與IBC相結(jié)合，研發(fā)出TBC（Tunneling oxide passivated contact Back Contact）太陽(yáng)電池，也就是上文所稱的POLO-IBC；將非晶硅鈍化技術(shù)與IBC相結(jié)合，開(kāi)發(fā)出HBC太陽(yáng)電池，二者均是通過(guò)應(yīng)用載流子選擇鈍化接觸可以抑制少數(shù)載流子在界面處的復(fù)合速度，進(jìn)一步降低IBC電池的整體復(fù)合，從而有效提高IBC太陽(yáng)電池表面鈍化效果。TBC電池主要是通過(guò)對(duì)IBC電池的背面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，即用P+和N+的POLY-Si作為發(fā)射極和BSF，并在POLY-Si與層之間沉積一層隧穿氧化層SiO2，使其具有更低的復(fù)合，更好的接觸，更高的轉(zhuǎn)化效率。

2018年，ISFH采用區(qū)熔法（FZ）制備的P型硅片將POLO技術(shù)應(yīng)用于IBC電池，在4cm2的電池面積上獲得了26.1%的POLO-IBC太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率，但該結(jié)構(gòu)制備流程相對(duì)復(fù)，使用了多次光刻和自對(duì)準(zhǔn)的工藝；為了簡(jiǎn)化工藝，ISFH公司在P型PERC電池的技術(shù)上疊加多晶硅沉積，在常規(guī)CZ法獲得的P型單晶硅片上制備POLO-IBC電池，利用原位制備多晶硅層，采用絲網(wǎng)印刷和共燒結(jié)形成金屬接觸，獲得21.8%的轉(zhuǎn)換效率，該技術(shù)路徑與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容度較高，但轉(zhuǎn)換效率較低。在N型硅片基底上，2019年天合光能采用LPCVD（低壓化學(xué)氣相沉積）法對(duì)IBC電池的BSF進(jìn)行多晶硅隧穿氧化，只通過(guò)調(diào)節(jié)濕法工藝使其與原始IBC電池工藝相兼容，在6英寸硅片上將轉(zhuǎn)換效率由24.1%提高到25%。

與傳統(tǒng)IBC電池不同的是，HBC電池結(jié)構(gòu)背面的Emitter和BSF區(qū)域?yàn)閜+非晶硅和n+非晶硅層，在異質(zhì)結(jié)接觸區(qū)域插入一層本非晶硅鈍化層。HBC電池結(jié)構(gòu)能夠獲得較高轉(zhuǎn)換效率的原因在于：

（1）高Voc。HBC電池采用化非晶硅（a-Si:H）作為雙面鈍化層，在背面形成局部a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，基于高質(zhì)量的非晶硅鈍化，獲得高Voc。充分吸收了HJT電池非晶硅鈍化技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。

（2）高Jsc。HBC電池采用了IBC電池結(jié)構(gòu)，前表面無(wú)遮光損失和減少了電阻損失，從而擁有較高的Jsc，充分結(jié)合了HJT電池技術(shù)與IBC電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。

HBC電池主要是由Kaneka在推動(dòng)，已取得較好的研發(fā)進(jìn)展，2017年日本化學(xué)公司和太陽(yáng)能電池制造商Kaneka通過(guò)背接觸異質(zhì)結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的的最高效率26.63%，國(guó)內(nèi)則主要是愛(ài)旭股份在推動(dòng)N型ABC電池技術(shù)。

IBC目前大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化面臨的問(wèn)題是工序多、量產(chǎn)難度大導(dǎo)致成本高。根據(jù)普樂(lè)新能源的披露，IBC電池技術(shù)的生產(chǎn)成本和產(chǎn)線投入仍然不占優(yōu)勢(shì)，非硅成本的差異主要來(lái)源于良率、銀漿成本和折舊成本，成熟的PERC電池在現(xiàn)階段還具有較為明顯的性價(jià)比。隨著TOPCon技術(shù)以及HJT技術(shù)的不斷進(jìn)步和成熟，與其相結(jié)合的TBC、HBC電池有望受益。

二、IBC電池的制備：與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容度較高，激光設(shè)備或?yàn)橹饕隽?/strong>

IBC主要是一種電機(jī)結(jié)構(gòu)的改變，涉及到的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改變較少，因此對(duì)PERC、TOPCon、HJT等各種電池制備技術(shù)的兼容度較好，包括非晶硅膜的制備（PECVD、Cat-CVD）、TCO膜的制備（PECVD、RPD）、POLY層的制備（PECVD、LPCVD、ICP）、鈍化層的制備（PECVD、ALD）等；IBC電池的變化主要體現(xiàn)在電池的背面，一般有p++（發(fā)射極，收集空穴載流子）和n++（背表面場(chǎng)，捕獲電子）兩個(gè)重區(qū)，兩個(gè)區(qū)的中間一般還有一個(gè)間隙（gap），由于中等區(qū)域中電子的遷移率是空穴的3倍，因此IBC電池一般采用較大面積的發(fā)射極。

（一）經(jīng)典IBC電池的工藝流程

IBC的電池制備工序主要分為表面制絨、表面鈍化、以及背電極的制備等過(guò)程，與傳統(tǒng)的PERC等電池工藝路線相比，工藝的改變以及增量工藝主要體現(xiàn)在背電極的構(gòu)型，而背電極的構(gòu)型則可利用絲網(wǎng)印刷、光刻法、噴墨打印等技術(shù)獲得。

（1）絲網(wǎng)印刷技術(shù)

絲網(wǎng)印刷技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)非常成熟，廣泛地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池電極的制備過(guò)程中，國(guó)產(chǎn)廠商在該方面也已經(jīng)較為領(lǐng)先，產(chǎn)生了邁為股份這種在絲網(wǎng)印刷領(lǐng)域市占率領(lǐng)先、技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)秀廠商。2010年，Bock等使用絲網(wǎng)印刷并結(jié)合激光刻蝕的方法對(duì)IBC太陽(yáng)電池的背面進(jìn)行了，絲網(wǎng)印刷技術(shù)用來(lái)在電池背面制備Al-p+發(fā)射極，通過(guò)絲網(wǎng)印刷技術(shù)取代高溫?cái)U(kuò)散，避免了高溫?cái)U(kuò)散對(duì)晶體硅的破壞，應(yīng)用了激光刻蝕技術(shù)簡(jiǎn)化生產(chǎn)步驟，使用PECVD技術(shù)進(jìn)行鈍化降低了工藝溫度。絲網(wǎng)印刷技術(shù)工藝成熟，成本低廉，但由于IBC電池背部圖形的特點(diǎn)，需經(jīng)過(guò)多次絲網(wǎng)印刷和精確的對(duì)準(zhǔn)工藝，從而增加了工藝難度和成本。

（2）激光刻蝕技術(shù)

激光刻蝕是利用激光束對(duì)硅片表面或者其表面的涂層進(jìn)行刻蝕，可以避免傳統(tǒng)的掩膜工藝，簡(jiǎn)化生產(chǎn)步驟，而且激光技術(shù)可以和其他技術(shù)結(jié)合用于電極制備和局部等過(guò)程。德國(guó)ISFH提出的RISE工藝（rear interdigitated contact scheme,metalized by a single evaporation）即使用到了刻蝕技術(shù)。首先用PECVD在硅片上沉積一層SiNx作為保護(hù)層，再使用激光在硅片上刻蝕出溝槽，之后對(duì)其進(jìn)行。經(jīng)過(guò)前表面的單面制絨后，在背面加上一層有機(jī)保護(hù)層，再使用激光刻蝕與化學(xué)刻蝕形成條形接觸開(kāi)孔并移去有機(jī)保護(hù)層，之后通過(guò)PECVD在正面沉積一層SiNx鈍化層，最后通過(guò)單面蒸發(fā)金屬鋁，形成背電極。對(duì)于正負(fù)電極在凹槽側(cè)壁上的分離，ISFH采用了自對(duì)準(zhǔn)分離法，即在形成金屬電極之前經(jīng)過(guò)一個(gè)退火過(guò)程在溝槽的側(cè)壁上生成一層多孔氧化層，形成鋁電極后在電極上再覆蓋一層很的SiOx，然后使用濕化學(xué)腐蝕就可分離側(cè)壁上的金屬電極。RISE工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，激光刻蝕定位較為準(zhǔn)確，減少了工藝步驟，對(duì)降低生產(chǎn)成本有較為積極的作用。

（3）離子注入技術(shù)

IBC硅太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中，對(duì)硅表面進(jìn)行是一個(gè)重要的流程，區(qū)域的濃度、深度及均勻性等都會(huì)直接影響到硅太陽(yáng)電池的性能。傳統(tǒng)的高溫方式是熱化學(xué)應(yīng)和熱擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)合，使用高溫?cái)U(kuò)散比較容易獲得高濃度、深結(jié)深的區(qū)域，但是其效果受化學(xué)結(jié)合力、擴(kuò)散系數(shù)和材料固溶度等因素的限制，長(zhǎng)時(shí)間的高溫過(guò)程不但會(huì)對(duì)硅片晶格結(jié)構(gòu)造成損傷，還會(huì)造成離子的側(cè)向擴(kuò)散，使相鄰區(qū)域相互滲；除了傳統(tǒng)的高溫方式，還可以使用PECVD先在晶體硅表面形成一層磷硅玻璃（PSG）作為磷源，再通過(guò)高溫?cái)U(kuò)散實(shí)現(xiàn)。

離子注入是另外一種的方式，真空中一束離子束射向一塊固體材料，受到固體材料的抵抗而速度慢慢降低，并最終停留在固體材料中。離子注入可以克服傳統(tǒng)高溫的缺點(diǎn)，又可以進(jìn)行精準(zhǔn)、高純度的，同時(shí)還能減少太陽(yáng)能電池的工藝步驟，而且所得到的區(qū)域界面平整，減少側(cè)向擴(kuò)散；但是離子注入過(guò)程中，高能粒子會(huì)對(duì)硅材料造成一定程度的損傷，可以通過(guò)高溫退火的方法消除，而且高溫退火還能在硅片兩面形成一層SiO2層，起到鈍化的效果，而且不會(huì)產(chǎn)生PSG或BSG層。離子注入具有控制精度高、擴(kuò)散均勻性好等特點(diǎn)，但是設(shè)備較為昂貴，且易造成晶格損傷，2017年Y.S.Kim等應(yīng)用離子注入進(jìn)行硼和磷，制備的IBC獲得了22.9%的轉(zhuǎn)化效率。

（二）HBC電池的工藝流程

HBC電池集齊了IBC與HJT的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也面臨二者各自的生產(chǎn)工藝問(wèn)題。HBC制備工藝流程相較于HJT增加了掩膜、激光開(kāi)槽、刻蝕步驟以完成背面PN區(qū)的制備，制程有所增長(zhǎng)；與HJT相同的是，本和非晶硅膜工藝窗口窄，對(duì)工藝清潔度要求極高；同時(shí)由于IBC的特殊結(jié)構(gòu)，正負(fù)電極都處于背面，電極印刷和電極隔離工藝對(duì)設(shè)備精度要求高；在金屬化環(huán)節(jié)，低溫銀漿導(dǎo)電性弱，需要跟TCO配合良好，壁壘高供給少；對(duì)于組件端，低溫電池制程需要客戶端的低溫組件封裝工藝配合。因此目前HBC整體設(shè)備昂貴，工序長(zhǎng)，投資成本高。HBC太陽(yáng)電池不僅需要解決HJT技術(shù)存在的TCO靶材和低溫銀漿成本高等問(wèn)題，還需要解決IBC技術(shù)嚴(yán)格的電極隔離、制程復(fù)及工藝窗口窄等問(wèn)題。因此，盡管HBC太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢(shì)明顯，但其至今實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，在HJT電池技術(shù)還完全成熟的大背景下，HBC的成熟預(yù)計(jì)還將有一定的過(guò)程。

與經(jīng)典IBC電池相同，HBC的關(guān)鍵工藝為制備背面P區(qū)（硼非晶硅）和N區(qū)（磷非晶硅），其核心在于“掩模-開(kāi)槽-沉積-刻蝕”等工藝。根據(jù)2017年日本Kaneka的方案，其制備HBC電池涉及8個(gè)工序，5個(gè)不同設(shè)備，制程復(fù)而昂貴。目前產(chǎn)業(yè)內(nèi)針對(duì)該工藝流程核心的降本方向是簡(jiǎn)化非晶硅膜的工序、降低關(guān)鍵設(shè)備PECVD的設(shè)備成本、采用更低成本的非晶硅沉積設(shè)備。

和HJT電池類似，在非晶硅膜沉積設(shè)備方面，主要有板式PECVD、HWCVD和LPCVD設(shè)備；制備TCO明導(dǎo)電膜，采用PVD或RPD設(shè)備，設(shè)備方面以及各種工藝路線的比較和HJT基本一致，本文不再贅述。跟HJT電池工藝一樣，經(jīng)典HBC電池整段工藝都是在200℃左右制備，因此金屬化工藝需要使用低溫漿料，但是由于HBC電池只需單面印刷銀漿，銀漿成本始終會(huì)低于HJT，HBC來(lái)或許會(huì)成為HJT技術(shù)降低銀漿成本一個(gè)很重要的手段。

（三）TBC電池的工藝流程

同樣的，TBC（或稱POLO-IBC）電池集齊了IBC與TOPCon的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也面臨二者各自的生產(chǎn)工藝問(wèn)題。相較于TOPCon，TBC所增加的工藝也主要是背面電極的相關(guān)工藝，包括掩膜、激光開(kāi)槽、刻蝕以及PN區(qū)的制備；與TOPCon類似，TBC也面臨著良率、成本、技術(shù)路線不確定等問(wèn)題，好在進(jìn)入22年之后，多家廠商加快了TOPCon投產(chǎn)的腳步，將有效推動(dòng)TOPCon技術(shù)的進(jìn)步。

（四）IBC、TBC、HBC的比較與總結(jié)

IBC、TBC、HBC三種電池工藝各有特點(diǎn)，各自繼承了一定的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，共同點(diǎn)在于背面電極的處理，屬于增量工藝與設(shè)備，激光是其中較為重要的部分。經(jīng)典IBC電池工藝特點(diǎn)：

（1）用掩模和爐管擴(kuò)散制備背面PN區(qū)；

（2）P區(qū)N區(qū)隔離，分別跟金屬電極接觸；

（3）單面絲網(wǎng)印刷，無(wú)主柵或多主柵；

（4）兼容部分PERC工序；

（5）高溫制程，設(shè)備及工藝成熟、成本低。

TBC電池工藝特點(diǎn)：

（1）掩模和爐管擴(kuò)散制備背面PN區(qū)，或掩模和CVD原位制備背面PN區(qū)；

（2）PN區(qū)與基區(qū)之間沉積一層隧穿氧化層；

（3）P區(qū)N區(qū)隔離，分別跟金屬電極接觸；

（4）單面絲網(wǎng)印刷，無(wú)主柵或多主柵；

（5）兼容部分TOPCon工序；

（6）高溫制程，工藝接近成熟、成本低。SunPower和國(guó)內(nèi)嘗試量產(chǎn)IBC電池的企業(yè)，紛紛向該技術(shù)路線轉(zhuǎn)型，諸如隆基推動(dòng)的HPBC，可能就是一種TBC電池技術(shù)的變形。

HBC電池工藝特點(diǎn)：

（1）掩模和CVD原位制備背面PN區(qū)；

（2）電池正面沉積本非晶硅鈍化層；

（3）PN區(qū)與基區(qū)之間沉積本非晶硅鈍化層；

（4）PN區(qū)與金屬電極之間沉積TCO層；

（5）單面絲網(wǎng)印刷，無(wú)主柵或多主柵；

（6）兼容HJT設(shè)備和工藝；

（7）低溫制程，工藝接近成熟、成本高。吸收了非晶硅鈍化技術(shù)的HBC電池，與HJT電池技術(shù)一道，成為新一代最有發(fā)展?jié)摿Φ木Ч桦姵毓に嚶肪€。